Apple cambiará de usar TLC (celda de triple nivel) NAND flash a MLC (celda de múltiples niveles) NAND flash en el iPhone 6 y iPhone 6 Plus después de que los usuarios hayan experimentado problemas de bloqueo y bucle de arranque con las versiones de mayor capacidad de ambos dispositivos, informes NegociosCorea .
Las fuentes le han dicho al periódico que la empresa de memoria flash Anobit, que Apple adquirió en 2011, tiene la culpa de los defectos de fabricación. Según los informes, Apple cambiará a flash MLC NAND para el iPhone 6 de 64 GB y el iPhone 6 Plus de 128 GB, y también abordará los problemas de bloqueo y bucle de arranque con el lanzamiento de iOS 8.1.1. Apple ha usado flash MLC NAND antes, en iPhones de generaciones anteriores.
TLC NAND flash es un tipo de memoria flash NAND de estado sólido que almacena tres bits de datos por celda. Puede almacenar tres veces más datos que la celda de un solo nivel (SLC) que almacena un bit de datos, y 1,5 veces más que la memoria flash de estado sólido de celda de varios niveles (MLC) que almacena dos bits de datos. Además de eso, el flash TLC es más asequible. Sin embargo, también es más lento que SLC o MLC en la lectura y escritura de datos.
Apple lanzó su primera versión beta de iOS 8.1.1 a los desarrolladores a principios de esta semana, aunque la compañía no especificó si las correcciones de errores incluidas abordaron problemas de bucle de arranque y fallas en el iPhone 6 y iPhone 6 Plus. Se recomienda a los usuarios que experimenten una cantidad inusual de ciclos de arranque y fallas con su iPhone 6 o iPhone 6 Plus que lleven sus dispositivos a una tienda minorista de Apple para reemplazarlos.
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